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MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR

Solo per riferimento

Numero parte MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR
PNEDA Part # MT48LC16M8A2TG-75-IT-G-TR
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.316
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR, MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR Datasheet (Totale pagine: 85, Dimensioni: 3.660,23 KB)
PDFMT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Copertura
MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 2 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 3 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 4 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 5 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 6 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 7 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 8 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 9 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 10 MT48LC16M8A2P-7E:L Datasheet Pagina 11

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  • MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR Distributor

MT48LC16M8A2TG-75 IT:G TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore54-TSOP II

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*

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-

Formato memoria

-

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT48V4M32LFB5-8:G TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ns

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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