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MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR

MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR

Solo per riferimento

Numero parte MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR
PNEDA Part # MT48H32M16LFB4-6-IT-C-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48H32M16LFB4-6 IT:C TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR, MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 3.325,24 KB)
PDFMT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Copertura
MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 2 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 3 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 4 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 5 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 6 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 7 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 8 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 9 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 10 MT48H32M16LFB4-6 AAT:C Datasheet Pagina 11

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  • MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Distributor

MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (8x8)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

36-SOJ

EDFA232A2MA-GD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

3Tb (384G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

267MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1418KV18-333BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

CY7C1320JV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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