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MT48H16M32LFCM-6 IT:B

MT48H16M32LFCM-6 IT:B

Solo per riferimento

Numero parte MT48H16M32LFCM-6 IT:B
PNEDA Part # MT48H16M32LFCM-6-IT-B
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT48H16M32LFCM-6 IT:B Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48H16M32LFCM-6 IT:B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT48H16M32LFCM-6 IT:B, MT48H16M32LFCM-6 IT:B Datasheet (Totale pagine: 86, Dimensioni: 2.425,32 KB)
PDFMT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Copertura
MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 2 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 3 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 4 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 5 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 6 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 7 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 8 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 9 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 10 MT48H32M16LFBF-6:B TR Datasheet Pagina 11

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MT48H16M32LFCM-6 IT:B Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-VFBGA (10x13)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

IS42SM16160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

STK11C68-5C45M

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP

MR2A08ACYS35

Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP2

W632GG6KB15J

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-WBGA (9x13)

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