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MT47R256M4CF-3:H

MT47R256M4CF-3:H

Solo per riferimento

Numero parte MT47R256M4CF-3:H
PNEDA Part # MT47R256M4CF-3-H
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 5.904
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT47R256M4CF-3:H Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47R256M4CF-3:H
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47R256M4CF-3:H, MT47R256M4CF-3:H Datasheet (Totale pagine: 129, Dimensioni: 9.145,95 KB)
PDFMT47R64M16HR-25E:H Datasheet Copertura
MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 2 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 3 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 4 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 5 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 6 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 7 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 8 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 9 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 10 MT47R64M16HR-25E:H Datasheet Pagina 11

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MT47R256M4CF-3:H Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria1Gb (256M x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ps
Tensione - Alimentazione1.55V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-FBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

CG8203AA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS29LV032B-70TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

AS4C64M16D2A-25BCN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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