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MT47H64M8SH-187E:H TR

MT47H64M8SH-187E:H TR

Solo per riferimento

Numero parte MT47H64M8SH-187E:H TR
PNEDA Part # MT47H64M8SH-187E-H-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 3.418
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MT47H64M8SH-187E:H TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47H64M8SH-187E:H TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47H64M8SH-187E:H TR, MT47H64M8SH-187E:H TR Datasheet (Totale pagine: 135, Dimensioni: 2.156,26 KB)
PDFMT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Copertura
MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 2 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 3 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 4 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 5 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 6 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 7 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 8 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 9 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 10 MT47H128M4SH-25E:H TR Datasheet Pagina 11

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MT47H64M8SH-187E:H TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso350ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-FBGA (8x10)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIJ

N25Q064A13ESE40E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (16M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO W

AT49F512-70JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

IS42S32400B-6B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

768Gb (96G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

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