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MT47H128M16PK-25E IT:CTR

MT47H128M16PK-25E IT:CTR

Solo per riferimento

Numero parte MT47H128M16PK-25E IT:CTR
PNEDA Part # MT47H128M16PK-25E-IT-CTR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.950
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 27 - giu 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT47H128M16PK-25E IT:CTR Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47H128M16PK-25E IT:CTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47H128M16PK-25E IT:CTR, MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet (Totale pagine: 133, Dimensioni: 2.122,45 KB)
PDFMT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Copertura
MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 2 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 3 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 4 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 5 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 6 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 7 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 8 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 9 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 10 MT47H128M16PK-25E IT:CTR Datasheet Pagina 11

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  • MT47H128M16PK-25E IT:CTR Distributor

MT47H128M16PK-25E IT:CTR Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso400ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-FBGA (9x12.5)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

4MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN

S70GL02GS12FHB020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

CY7C1512AV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

STK14C88-NF35ITR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

70V9089S12PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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