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MT46H128M32L2MC-6 IT:A

MT46H128M32L2MC-6 IT:A

Solo per riferimento

Numero parte MT46H128M32L2MC-6 IT:A
PNEDA Part # MT46H128M32L2MC-6-IT-A
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.582
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MT46H128M32L2MC-6 IT:A Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT46H128M32L2MC-6 IT:A
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT46H128M32L2MC-6 IT:A, MT46H128M32L2MC-6 IT:A Datasheet (Totale pagine: 106, Dimensioni: 3.431,92 KB)
PDFMT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Copertura
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 2 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 3 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 4 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 5 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 6 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 7 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 8 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 9 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 10 MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Datasheet Pagina 11

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MT46H128M32L2MC-6 IT:A Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5.0ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore240-WFBGA (14x14)

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (512 Bytes x 8192 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VDFN (6x5)

MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 2.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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