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MT44K16M36RB-107E:B

MT44K16M36RB-107E:B

Solo per riferimento

Numero parte MT44K16M36RB-107E:B
PNEDA Part # MT44K16M36RB-107E-B
Descrizione IC DRAM 576M PARALLEL 933MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $590,2077
50 ---------- $562,5418
100 ---------- $534,8758
200 ---------- $507,2098
400 ---------- $484,1548
500 ---------- $461,0998
Disponibile 411
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT44K16M36RB-107E:B Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT44K16M36RB-107E:B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT44K16M36RB-107E:B, MT44K16M36RB-107E:B Datasheet (Totale pagine: 120, Dimensioni: 1.653,88 KB)
PDFMT44K32M18RB-093F:B Datasheet Copertura
MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 2 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 3 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 4 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 5 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 6 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 7 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 8 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 9 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 10 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 11

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MT44K16M36RB-107E:B Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8ns
Tensione - Alimentazione1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-BGA (13.5x13.5)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

CY62146ELL-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

24CW1280T-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

24CW

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

AT49BV1614AT-70TI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

S29GL128P90FFIR22

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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