Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

MT41J256M16HA-093 J:E

MT41J256M16HA-093 J:E

Solo per riferimento

Numero parte MT41J256M16HA-093 J:E
PNEDA Part # MT41J256M16HA-093-J-E
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.958
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT41J256M16HA-093 J:E Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT41J256M16HA-093 J:E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT41J256M16HA-093 J:E, MT41J256M16HA-093 J:E Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 187,48 KB)
PDFMT41J256M16HA-093 J:E Datasheet Copertura
MT41J256M16HA-093 J:E Datasheet Pagina 2 MT41J256M16HA-093 J:E Datasheet Pagina 3

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • MT41J256M16HA-093 J:E Datasheet
  • where to find MT41J256M16HA-093 J:E
  • Micron Technology Inc.

  • Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-093 J:E
  • MT41J256M16HA-093 J:E PDF Datasheet
  • MT41J256M16HA-093 J:E Stock

  • MT41J256M16HA-093 J:E Pinout
  • Datasheet MT41J256M16HA-093 J:E
  • MT41J256M16HA-093 J:E Supplier

  • Micron Technology Inc. Distributor
  • MT41J256M16HA-093 J:E Price
  • MT41J256M16HA-093 J:E Distributor

MT41J256M16HA-093 J:E Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1066MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-FBGA (8x14)

I prodotti a cui potresti essere interessato

71V65703S85BG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

IDT71256SA15TPI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

7024S30J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30ns

Tempo di accesso

30ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

IS61WV51216BLL-10MLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-miniBGA (9x11)

MT48LC8M16A2TG-7E IT:G TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

Venduto di recente

T520B227M006ATE070

T520B227M006ATE070

KEMET

CAP TANT POLY 220UF 6.3V 3528

MAX3232EUE+

MAX3232EUE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

CP2102-GM

CP2102-GM

Silicon Labs

IC USB-TO-UART BRIDGE 28VQFN

LTST-C190TBKT

LTST-C190TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR CHIP SMD

IS25CQ032-JBLE

IS25CQ032-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

VUB72-12NOXT

VUB72-12NOXT

IXYS

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK

SSM2166SZ

SSM2166SZ

Analog Devices

IC PREAMP AUDIO MONO MIC 14SOIC

SMBJ12CA-TR

SMBJ12CA-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 12V 25.3V SMB

TXH 120-112

TXH 120-112

Traco Power

AC/DC CONVERTER 12V 120W

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

PI3VDP411LSRZBE

PI3VDP411LSRZBE

Diodes Incorporated

IC DEMULTIPLEXER 48TQFN

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP