MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
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| Numero parte | MT40A512M8RH-083E AUT:B TR |
| PNEDA Part # | MT40A512M8RH-083E-AUT-B-TR |
| Descrizione | IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.694 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT40A512M8RH-083E AUT:B TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 1.2GHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.26V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 78-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 64Mb (2M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.5ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 86-TSOP II |
