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MT3S111TU,LF

MT3S111TU,LF

Solo per riferimento

Numero parte MT3S111TU,LF
PNEDA Part # MT3S111TU-LF
Descrizione RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.734
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida)
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MT3S111TU Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT3S111TU,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MT3S111TU Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Guadagno12.5dB
Potenza - Max800mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 30mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreUFM

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

KSC1730YTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

23A005

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

22V

Frequenza - Transizione

4.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

135mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343 Reverse Pinning

Pacchetto dispositivo fornitore

4-SO

MCH4020-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

16GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

17.5dB @ 1GHz

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-MCPH

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