MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR
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| Numero parte | MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR |
| PNEDA Part # | MT29VZZZAC8FQKSL-053-W-ES-G8F-TR |
| Descrizione | ALL IN ONE MCP 3264G |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | * |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 78-FBGA (9x10.5) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie FL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 66MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-TFBGA (8x10) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH, RAM Tecnologia FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 137-TFBGA (10.5x13) |
