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MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6

MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6

Solo per riferimento

Numero parte MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6
PNEDA Part # MT29TZZZ5D6DKFRL-107-W-9A6
Descrizione MLC EMMC/LPDDR3 144G
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.154
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie*
Tipo di memoria-
Formato memoria-
Tecnologia-
Dimensione della memoria-
Interfaccia di memoria-
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 2.4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

MT46H256M32L4JV-5 IT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-VFBGA (12x12)

MT29F16G08CBACAWP:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

CY7C2565KV18-500BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

500MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

CY15E064Q-SXAT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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