MT29F512G08EKCBBJ5-6:B
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| Numero parte | MT29F512G08EKCBBJ5-6:B |
| PNEDA Part # | MT29F512G08EKCBBJ5-6-B |
| Descrizione | NAND FLASH |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.038 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F512G08EKCBBJ5-6:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F512G08EKCBBJ5-6:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F512G08EKCBBJ5-6:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | * |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8, 1K x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 2ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 13.75ns Tensione - Alimentazione 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 96-FBGA (8x14) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (128 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 2MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 2ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 3ms Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
