MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR
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| Numero parte | MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR |
| PNEDA Part # | MT29F4G01ABAFDWB-IT-F-TR |
| Descrizione | IC FLASH 4G SPI UPDFN |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.866 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Dimensione della memoria | 4Gb (4G x 1) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-UDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 100ns Tempo di accesso 100ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-CerDip |
