MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR
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| Numero parte | MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR |
| PNEDA Part # | MT29F4G01ABAFD12-IT-F-TR |
| Descrizione | IC FLASH 4G SPI TBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.816 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 4Gb (4G x 1) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 24-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 10ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
