MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A
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| Numero parte | MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A |
| PNEDA Part # | MT29F1T08EEHAFJ4-3R-A |
| Descrizione | IC FLASH 1T PARALLEL 132VBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.552 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 1Tb (128G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (256 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.5V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -20°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria 8Gb (2G x 4) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 78-FBGA (9x13.2) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 96-TWBGA (9x13) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-VFBGA (8x8) |
