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MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R

Solo per riferimento

Numero parte MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
PNEDA Part # MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
Descrizione IC FLASH 128G PARALLEL DIE
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.256
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria128Gb (16G x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (8x6)

IDT71V3558S133BQ

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

MT47H64M16NF-187E:M

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

350ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (8x12.5)

MT46V64M8P-5B L IT:F

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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