MT29F128G08AEEBBH6-12:B
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| Numero parte | MT29F128G08AEEBBH6-12:B |
| PNEDA Part # | MT29F128G08AEEBBH6-12-B |
| Descrizione | IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.600 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F128G08AEEBBH6-12:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F128G08AEEBBH6-12:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F128G08AEEBBH6-12:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 128Gb (16G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 83MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 152-VBGA (14x18) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8, 1K x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 2ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 40-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 40-PDIP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP I |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 200-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 200-WFBGA (10x14.5) |
