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MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR

MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR

Solo per riferimento

Numero parte MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR
PNEDA Part # MT29C8G96MAYBADJV-5-WT-TR
Descrizione IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.996
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR, MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR Datasheet (Totale pagine: 220, Dimensioni: 1.952,51 KB)
PDFMT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Copertura
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 2 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 3 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 4 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 5 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 6 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 7 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 8 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 9 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 10 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 11

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MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria8Gb (1G x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-VFBGA (12x12)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (11x13)

7025S45PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

AT34C02-10TI-2.7

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

24C01C-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1.5ms

Tempo di accesso

3500ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

N02L6181AB28I

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-BGA (6x8)

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