MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR
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| Numero parte | MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR |
| PNEDA Part # | MT28FW512ABA1LPC-0AAT-TR |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.410 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR, MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR Datasheet
(Totale pagine: 79, Dimensioni: 1.027,52 KB)
  
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MT28FW512ABA1LPC-0AAT TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 60ns |
| Tempo di accesso | 105ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-LBGA (11x13) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile Dimensione della memoria 32Mb (1M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 6ns Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-TFBGA (8x13) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 52-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 52-PLCC (19.13x19.13) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (128 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 256Kb (16K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 84-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 84-PLCC (29.21x29.21) |
