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MT28F008B3VG-9 B

MT28F008B3VG-9 B

Solo per riferimento

Numero parte MT28F008B3VG-9 B
PNEDA Part # MT28F008B3VG-9-B
Descrizione IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP I
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.330
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28F008B3VG-9 B Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F008B3VG-9 B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F008B3VG-9 B, MT28F008B3VG-9 B Datasheet (Totale pagine: 30, Dimensioni: 481,27 KB)
PDFMT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Copertura
MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 2 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 3 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 4 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 5 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 6 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 7 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 8 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 9 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 10 MT28F800B3WP-9 T TR Datasheet Pagina 11

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MT28F008B3VG-9 B Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina90ns
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore40-TSOP I

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-VFBGA (6x8)

CY7C1312LV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

25LC080CT-I/MS

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

MT41K256M8DA-125 IT:K

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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