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MT28EW128ABA1LPC-0SIT

MT28EW128ABA1LPC-0SIT

Solo per riferimento

Numero parte MT28EW128ABA1LPC-0SIT
PNEDA Part # MT28EW128ABA1LPC-0SIT
Descrizione IC FLASH 128M PARALLEL 64LBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $174,3201
50 ---------- $166,1489
100 ---------- $157,9776
200 ---------- $149,8064
400 ---------- $142,9970
500 ---------- $136,1876
Disponibile 6.319
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28EW128ABA1LPC-0SIT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28EW128ABA1LPC-0SIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28EW128ABA1LPC-0SIT, MT28EW128ABA1LPC-0SIT Datasheet (Totale pagine: 81, Dimensioni: 1.087,91 KB)
PDFMT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Copertura
MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 2 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 3 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 4 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 5 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 6 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 7 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 8 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 9 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 10 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 11

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MT28EW128ABA1LPC-0SIT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8, 8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina60ns
Tempo di accesso95ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-LBGA (11x13)

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

150ns

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-EDIP

IS42S83200G-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

IDT71V416VS10BEI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-CABGA (9x9)

MT29C8G96MAZBADJV-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-VFBGA (12x12)

MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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