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MT28EW128ABA1LJS-0SIT

MT28EW128ABA1LJS-0SIT

Solo per riferimento

Numero parte MT28EW128ABA1LJS-0SIT
PNEDA Part # MT28EW128ABA1LJS-0SIT
Descrizione IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.967
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28EW128ABA1LJS-0SIT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28EW128ABA1LJS-0SIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28EW128ABA1LJS-0SIT, MT28EW128ABA1LJS-0SIT Datasheet (Totale pagine: 81, Dimensioni: 1.087,91 KB)
PDFMT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Copertura
MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 2 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 3 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 4 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 5 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 6 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 7 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 8 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 9 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 10 MT28EW128ABA1LPC-1SIT TR Datasheet Pagina 11

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MT28EW128ABA1LJS-0SIT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8, 8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina60ns
Tempo di accesso95ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore56-TSOP

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Macronix

Serie

MXSMIO™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (8M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 1.2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

S29GL512T10FAI013

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-T

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

IS25LP032D-JKLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x5)

MT46V32M16BN-6 IT:F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (10x12.5)

AS4C128M8D3A-12BAN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x10.5)

Venduto di recente

HEF4538BT,653

HEF4538BT,653

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