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MT25QU512ABB8E12-0AAT

MT25QU512ABB8E12-0AAT

Solo per riferimento

Numero parte MT25QU512ABB8E12-0AAT
PNEDA Part # MT25QU512ABB8E12-0AAT
Descrizione IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 9.357
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QU512ABB8E12-0AAT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QU512ABB8E12-0AAT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QU512ABB8E12-0AAT, MT25QU512ABB8E12-0AAT Datasheet (Totale pagine: 100, Dimensioni: 1.278,73 KB)
PDFMT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Copertura
MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 2 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 3 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 4 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 5 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 6 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 7 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 8 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 9 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 10 MT25QU512ABB8ESF-0SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QU512ABB8E12-0AAT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore24-T-PBGA (6x8)

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Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200ns

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

CYDM256B16-40BVXIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, MoBL

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40ns

Tempo di accesso

40ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VFBGA (6x6)

MR256A08BCSO35R

Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOIC

CY7C2564XV18-450BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

450MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

IS61C1024AL-12HLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-sTSOP I

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