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MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR

MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR

Solo per riferimento

Numero parte MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR
PNEDA Part # MT25QU256ABA8ESF-0SIT-TR
Descrizione IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.636
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QU256ABA8ESF-0SIT TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR, MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR Datasheet (Totale pagine: 99, Dimensioni: 1.307,17 KB)
PDFMT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Copertura
MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 2 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 3 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 4 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 5 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 6 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 7 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 8 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 9 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 10 MT25QU256ABA1EW7-0SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SO

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

S25FL128SAGBHVA00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LBGA (12x18)

CY7C1420SV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

144Kb (16K x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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