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MT25QL512ABB1EW9-0SIT

MT25QL512ABB1EW9-0SIT

Solo per riferimento

Numero parte MT25QL512ABB1EW9-0SIT
PNEDA Part # MT25QL512ABB1EW9-0SIT
Descrizione IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WPDFN
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.485
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QL512ABB1EW9-0SIT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QL512ABB1EW9-0SIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QL512ABB1EW9-0SIT, MT25QL512ABB1EW9-0SIT Datasheet (Totale pagine: 97, Dimensioni: 1.256,15 KB)
PDFMT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Copertura
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 2 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 3 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 4 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 5 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 6 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 7 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 8 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 9 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 10 MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QL512ABB1EW9-0SIT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WPDFN (8x6) (MLP8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

SST26 SQI®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

IS45S16160D-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x13)

25LC256T-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

70V9279L7PRFGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

128-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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