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MT25QL128ABA1EW7-MSIT

MT25QL128ABA1EW7-MSIT

Solo per riferimento

Numero parte MT25QL128ABA1EW7-MSIT
PNEDA Part # MT25QL128ABA1EW7-MSIT
Descrizione IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QL128ABA1EW7-MSIT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QL128ABA1EW7-MSIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QL128ABA1EW7-MSIT, MT25QL128ABA1EW7-MSIT Datasheet (Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.225,59 KB)
PDFMT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Copertura
MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 2 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 3 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 4 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 5 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 6 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 7 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 8 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 9 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 10 MT25QL128ABA1ESE-MSIT Datasheet Pagina 11

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MT25QL128ABA1EW7-MSIT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WPDFN (6x5)(MLP8)

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 2.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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