MSE1PJHM3J/89A
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| Numero parte | MSE1PJHM3J/89A |
| PNEDA Part # | MSE1PJHM3J-89A |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 32.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSE1PJHM3J/89A Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSE1PJHM3J/89A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
MSE1PJHM3J/89A, MSE1PJHM3J/89A Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 104,59 KB)
  
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MSE1PJHM3J/89A Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AD |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Littelfuse Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, GEN2 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 23A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 8A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 650V Capacità @ Vr, F 415pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 740mV @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NFM Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Littelfuse Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore TO-252 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
