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MSC090SMA070S

MSC090SMA070S

Solo per riferimento

Numero parte MSC090SMA070S
PNEDA Part # MSC090SMA070S
Descrizione GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM D3PA
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.084
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MSC090SMA070S Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMSC090SMA070S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MSC090SMA070S, MSC090SMA070S Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 3.798,21 KB)
PDFMSC025SMA120J Datasheet Copertura
MSC025SMA120J Datasheet Pagina 2 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 3 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 4 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 5 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 6 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 7 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 8 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 9 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 10 MSC025SMA120J Datasheet Pagina 11

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MSC090SMA070S Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensione Drain to Source (Vdss)700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD3Pak
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

70W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IPI111N15N3GAKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

83A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1mOhm @ 83A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 160µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3230pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LPTS

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

104mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

186pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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