MSB710-RT1G
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| Numero parte | MSB710-RT1G |
| PNEDA Part # | MSB710-RT1G |
| Descrizione | TRANS PNP 50V 0.5A SC-59 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.436 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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MSB710-RT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSB710-RT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
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MSB710-RT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 500mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
| Potenza - Max | 200mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 200mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 1V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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