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MS2473

MS2473

Solo per riferimento

Numero parte MS2473
PNEDA Part # MS2473
Descrizione RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS2473 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS2473
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS2473 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Frequenza - Transizione1.09GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno6dB
Potenza - Max2300W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 1A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)46A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaM112
Pacchetto dispositivo fornitoreM112

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

45 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

2N4427

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

90mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Guadagno

10dB ~ 18dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

35 micro-X

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

500W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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