MS1612
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| Numero parte | MS1612 |
| PNEDA Part # | MS1612 |
| Descrizione | RF POWER TRANSISTOR |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.176 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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MS1612 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MS1612 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MS1612 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 42V Frequenza - Transizione 2.3GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 8dB Potenza - Max 20.5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1A Temperatura di esercizio 200°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia 55BT Pacchetto dispositivo fornitore 55BT |
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