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MRF555GT

MRF555GT

Solo per riferimento

Numero parte MRF555GT
PNEDA Part # MRF555GT
Descrizione RF TRANS NPN 16V 470MHZ
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.372
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF555GT Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF555GT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MRF555GT Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)16V
Frequenza - Transizione470MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno12.5dB
Potenza - Max3W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 100mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

31V

Frequenza - Transizione

200MHz ~ 500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55HV

Pacchetto dispositivo fornitore

55HV

2SC5415AF-TD-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

800mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PCP

2SC5012-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BF799E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BFU580QX

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB @ 1.8GHz

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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