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MRF555

MRF555

Solo per riferimento

Numero parte MRF555
PNEDA Part # MRF555
Descrizione RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF555 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF555
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MRF555 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)16V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno11dB ~ 13dB
Potenza - Max3W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 250mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPower Macro
Pacchetto dispositivo fornitorePower Macro

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MRF586

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

17V

Frequenza - Transizione

3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13.5dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10dB ~ 15dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-623F

Pacchetto dispositivo fornitore

M03

MSC1175M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

400W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M218

Pacchetto dispositivo fornitore

M218

UMIL80

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

31V

Frequenza - Transizione

200MHz ~ 500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

220W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55HV

Pacchetto dispositivo fornitore

55HV

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