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MPSH11_D27Z

MPSH11_D27Z

Solo per riferimento

Numero parte MPSH11_D27Z
PNEDA Part # MPSH11_D27Z
Descrizione RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.042
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 6 - lug 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MPSH11_D27Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMPSH11_D27Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MPSH11_D27Z, MPSH11_D27Z Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 240,77 KB)
PDFMPSH11_D27Z Datasheet Copertura
MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 2 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 3 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 4 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 5 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 6 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 7 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 8 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 9 MPSH11_D27Z Datasheet Pagina 10

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MPSH11_D27Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione650MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

-

KST5179MTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

HFA3102B96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

6 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz

Guadagno

12.4dB ~ 17.5dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

MPA201

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

22V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

6W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AU

Pacchetto dispositivo fornitore

55AU

MS2211

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

48V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.3dB

Potenza - Max

25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

900mA

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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