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MPSH10_D75Z

MPSH10_D75Z

Solo per riferimento

Numero parte MPSH10_D75Z
PNEDA Part # MPSH10_D75Z
Descrizione RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MPSH10_D75Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMPSH10_D75Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MPSH10_D75Z, MPSH10_D75Z Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 738,11 KB)
PDFMPSH10_D75Z Datasheet Copertura
MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 2 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 3 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 4 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 5 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 6 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 7 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 8 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 9 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 10 MPSH10_D75Z Datasheet Pagina 11

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MPSH10_D75Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione650MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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60168

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

BFG135AE6327XT

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

9dB ~ 14dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

TPR700

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.7dB

Potenza - Max

2050W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KT

Pacchetto dispositivo fornitore

55KT

BFP 620F E7764

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

185mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

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