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MPS5179_D26Z

MPS5179_D26Z

Solo per riferimento

Numero parte MPS5179_D26Z
PNEDA Part # MPS5179_D26Z
Descrizione RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.510
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MPS5179_D26Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMPS5179_D26Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MPS5179_D26Z, MPS5179_D26Z Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 992,85 KB)
PDFPN5179_D75Z Datasheet Copertura
PN5179_D75Z Datasheet Pagina 2 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 3 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 4 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 5 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 6 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 7 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 8 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 9 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 10 PN5179_D75Z Datasheet Pagina 11

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MPS5179_D26Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione2GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)5dB @ 200MHz
Guadagno15dB
Potenza - Max350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 3mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12dB ~ 18dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

PH1090-75L

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.70dB ~ 10.81dB

Potenza - Max

75W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

1000MA

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

17.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MPSH17RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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TO-92-3

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