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MMF25SDRE5K76

MMF25SDRE5K76

Solo per riferimento

Numero parte MMF25SDRE5K76
PNEDA Part # MMF25SDRE5K76
Descrizione RES SMD 0.5% 1/4W MELF
Produttore Yageo
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.968
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 6 - lug 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMF25SDRE5K76 Risorse

Brand Yageo
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMF25SDRE5K76
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale

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MMF25SDRE5K76 Specifiche

ProduttoreYageo
SerieMMF
Resistenza5.76 kOhms
Tolleranza±0.5%
Potenza (Watt)0.25W, 1/4W
ComposizioneMetal Film
Caratteristiche-
Coefficiente di temperatura±50ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 155°C
Pacchetto / CustodiaMELF, 0204
Pacchetto dispositivo fornitoreMELF
Taglia / Dimensione0.055" Dia x 0.138" L (1.40mm x 3.50mm)
Altezza - Seduto (Max)-
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimento-

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

604 Ohms

Tolleranza

±0.05%

Potenza (Watt)

0.125W, 1/8W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0805 (2012 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0805

Taglia / Dimensione

0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.024" (0.60mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

2.61 kOhms

Tolleranza

±0.25%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±10ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C

Pacchetto / Custodia

1210 (3225 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1210

Taglia / Dimensione

0.122" L x 0.102" W (3.10mm x 2.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RCS1608F1R65CS

Samsung Electro-Mechanics

Produttore

Samsung Electro-Mechanics

Serie

RCS

Resistenza

1.65 Ohms

Tolleranza

±1%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±300ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.022" (0.55mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RCP0603W33R0JEA

Vishay Dale

Produttore

Vishay Dale

Serie

RCP

Resistenza

33 Ohms

Tolleranza

±5%

Potenza (Watt)

1.5W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±150ppm/°C

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0603 (1608 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0603

Taglia / Dimensione

0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.023" (0.58mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

43.2 kOhms

Tolleranza

±0.25%

Potenza (Watt)

0.063W, 1/16W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0402 (1005 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0402

Taglia / Dimensione

0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.014" (0.35mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

SIT9102AI-243N25E200.00000X

SIT9102AI-243N25E200.00000X

SiTIME

MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD

SMBJ16A

SMBJ16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 16V 26V DO214AA

0451.500MRL

0451.500MRL

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 500MA 125VAC/VDC

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

HCPL-063L-500E

HCPL-063L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

TL062ID

TL062ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

1N4004GP-E3/54

1N4004GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

JAN1N4148-1

JAN1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

ADUM1401BRWZ

ADUM1401BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

TC4426EUA

TC4426EUA

Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8MSOP