MMDF2P02HDR2
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| Numero parte | MMDF2P02HDR2 |
| PNEDA Part # | MMDF2P02HDR2 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.184 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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MMDF2P02HDR2 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MMDF2P02HDR2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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MMDF2P02HDR2 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 588pF @ 16V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Pacchetto dispositivo fornitore UMT5 |
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