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MMBV609LT1G

MMBV609LT1G

Solo per riferimento

Numero parte MMBV609LT1G
PNEDA Part # MMBV609LT1G
Descrizione DIODE TUNING SS 20V SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.850
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBV609LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBV609LT1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriDiodi Varactor
Datasheet
MMBV609LT1G, MMBV609LT1G Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 114,73 KB)
PDFMMBV609LT1G Datasheet Copertura
MMBV609LT1G Datasheet Pagina 2 MMBV609LT1G Datasheet Pagina 3

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MMBV609LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Capacità @ Vr, F32pF @ 3V, 1MHz
Rapporto di capacità2.4
Condizione rapporto di capacitàC3/C8
Tensione - Picco inverso (Max)20V
Tipo di diodo1 Pair Common Cathode
Q @ Vr, F450 @ 3V, 50MHz
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Capacità @ Vr, F

5.5pF @ 4V, 50MHz

Rapporto di capacità

-

Condizione rapporto di capacità

-

Tensione - Picco inverso (Max)

12V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

200 @ 4V, 50MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

ZC836BTC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Capacità @ Vr, F

105pF @ 2V, 1MHz

Rapporto di capacità

6.5

Condizione rapporto di capacità

C2/C20

Tensione - Picco inverso (Max)

25V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

100 @ 3V, 50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BB689H7908XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Capacità @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

Rapporto di capacità

23.2

Condizione rapporto di capacità

C1/C28

Tensione - Picco inverso (Max)

30V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-80

Pacchetto dispositivo fornitore

SCD-80

ZC834ATC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Capacità @ Vr, F

51.7pF @ 2V, 1MHz

Rapporto di capacità

6.5

Condizione rapporto di capacità

C2/C20

Tensione - Picco inverso (Max)

25V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MMBV2109LT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Capacità @ Vr, F

36.3pF @ 4V, 1MHz

Rapporto di capacità

3.2

Condizione rapporto di capacità

C2/C30

Tensione - Picco inverso (Max)

30V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

200 @ 4V, 50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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