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MMBV3102LT1

MMBV3102LT1

Solo per riferimento

Numero parte MMBV3102LT1
PNEDA Part # MMBV3102LT1
Descrizione DIODE TUNING SS 30V SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $0,9892
500 ---------- $0,9428
1.000 ---------- $0,8964
2.500 ---------- $0,8501
5.000 ---------- $0,8114
10.000 ---------- $0,7728
Disponibile 7.188
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBV3102LT1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBV3102LT1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriDiodi Varactor
Datasheet
MMBV3102LT1, MMBV3102LT1 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 114,04 KB)
PDFMMBV3102LT1G Datasheet Copertura
MMBV3102LT1G Datasheet Pagina 2 MMBV3102LT1G Datasheet Pagina 3

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MMBV3102LT1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Capacità @ Vr, F25pF @ 3V, 1MHz
Rapporto di capacità4.8
Condizione rapporto di capacitàC3/C25
Tensione - Picco inverso (Max)30V
Tipo di diodoSingle
Q @ Vr, F200 @ 3V, 50MHz
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Capacità @ Vr, F

1.45pF @ 4V, 1MHz

Rapporto di capacità

2.1

Condizione rapporto di capacità

C1/C4

Tensione - Picco inverso (Max)

7V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-80

Pacchetto dispositivo fornitore

SCD-80

BB187,135

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Capacità @ Vr, F

2.92pF @ 25V, 1MHz

Rapporto di capacità

11

Condizione rapporto di capacità

C2/C25

Tensione - Picco inverso (Max)

32V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-523

BB844E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Capacità @ Vr, F

13pF @ 8V, 1MHz

Rapporto di capacità

3.8

Condizione rapporto di capacità

C2/C8

Tensione - Picco inverso (Max)

18V

Tipo di diodo

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BB 814 E6433 GR1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Capacità @ Vr, F

22.7pF @ 8V, 1MHz

Rapporto di capacità

2.25

Condizione rapporto di capacità

C2/C8

Tensione - Picco inverso (Max)

18V

Tipo di diodo

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F

200 @ 2V, 100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BB131,115

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Capacità @ Vr, F

1.055pF @ 28V, 1MHz

Rapporto di capacità

16

Condizione rapporto di capacità

C0.5/C28

Tensione - Picco inverso (Max)

30V

Tipo di diodo

Single

Q @ Vr, F

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

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