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MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G

Solo per riferimento

Numero parte MMBTA13LT1G
PNEDA Part # MMBTA13LT1G
Descrizione TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 280.908
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MMBTA13LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBTA13LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MMBTA13LT1G, MMBTA13LT1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 196,86 KB)
PDFMMBTA14LT1 Datasheet Copertura
MMBTA14LT1 Datasheet Pagina 2 MMBTA14LT1 Datasheet Pagina 3 MMBTA14LT1 Datasheet Pagina 4 MMBTA14LT1 Datasheet Pagina 5 MMBTA14LT1 Datasheet Pagina 6 MMBTA14LT1 Datasheet Pagina 7

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MMBTA13LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 100µA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10000 @ 100mA, 5V
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione125MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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PBSS4041NZ,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

195mV @ 350mA, 7A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 4A, 2V

Potenza - Max

2.6W

Frequenza - Transizione

105MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

APT13003DZTR-G1

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 250mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.1W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

2N3905BU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N3725

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

950mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-5

TIS97_D74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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