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MMBT5401M3T5G

MMBT5401M3T5G

Solo per riferimento

Numero parte MMBT5401M3T5G
PNEDA Part # MMBT5401M3T5G
Descrizione PNP TRANSISTOR 150V
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.902
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBT5401M3T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBT5401M3T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MMBT5401M3T5G, MMBT5401M3T5G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 158,11 KB)
PDFNSVMMBT5401M3T5G Datasheet Copertura
NSVMMBT5401M3T5G Datasheet Pagina 2 NSVMMBT5401M3T5G Datasheet Pagina 3 NSVMMBT5401M3T5G Datasheet Pagina 4 NSVMMBT5401M3T5G Datasheet Pagina 5 NSVMMBT5401M3T5G Datasheet Pagina 6

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MMBT5401M3T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie*
Tipo di transistor-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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2SB0709A0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

2SA1577T106R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

32V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT3

JAN2N7373

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/613

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

Potenza - Max

4W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-254AA

JAN2N2904AL

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SB1073-Q-AP

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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