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MMBT3640

MMBT3640

Solo per riferimento

Numero parte MMBT3640
PNEDA Part # MMBT3640
Descrizione TRANS PNP 12V 0.2A SOT-23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 135.450
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBT3640 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBT3640
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MMBT3640, MMBT3640 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 326,04 KB)
PDFPN3640_J18Z Datasheet Copertura
PN3640_J18Z Datasheet Pagina 2 PN3640_J18Z Datasheet Pagina 3 PN3640_J18Z Datasheet Pagina 4 PN3640_J18Z Datasheet Pagina 5 PN3640_J18Z Datasheet Pagina 6

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MMBT3640 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)10nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 300mV
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione500MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

TIP125

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

4V @ 20mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 3V

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

2N6296

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

JANTXV2N2484

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/376

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

2nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

360mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

2N5873

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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