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MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

Solo per riferimento

Numero parte MMBFU310LT1G
PNEDA Part # MMBFU310LT1G
Descrizione JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $0,3716
500 ---------- $0,3542
1.000 ---------- $0,3367
2.500 ---------- $0,3193
5.000 ---------- $0,3048
10.000 ---------- $0,2903
Disponibile 8.303
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBFU310LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBFU310LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
MMBFU310LT1G, MMBFU310LT1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 166,58 KB)
PDFMMBFU310LT1 Datasheet Copertura
MMBFU310LT1 Datasheet Pagina 2 MMBFU310LT1 Datasheet Pagina 3 MMBFU310LT1 Datasheet Pagina 4

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MMBFU310LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)24mA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2.5V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5pF @ 10V (VGS)
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max225mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AA (TO-18)

SST5461-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

TF414T5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

0.7pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

TIS75

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 4nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

750mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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