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MMBFJ270

MMBFJ270

Solo per riferimento

Numero parte MMBFJ270
PNEDA Part # MMBFJ270
Descrizione JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $5,3219
250 ---------- $5,0724
500 ---------- $4,8229
1.000 ---------- $4,5735
2.500 ---------- $4,3656
5.000 ---------- $4,1577
Disponibile 107.290
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBFJ270 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBFJ270
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
MMBFJ270, MMBFJ270 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 503,13 KB)
PDFMMBFJ270 Datasheet Copertura
MMBFJ270 Datasheet Pagina 2 MMBFJ270 Datasheet Pagina 3 MMBFJ270 Datasheet Pagina 4 MMBFJ270 Datasheet Pagina 5 MMBFJ270 Datasheet Pagina 6 MMBFJ270 Datasheet Pagina 7

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MMBFJ270 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)30V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)2mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id500mV @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max225mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

60µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1.7pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

3-CP

2N5457_L99Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92 (TO-226)

MPF4393G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 15V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

100 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JANTX2N4416AUB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

6V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

4-SMD

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

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