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MMBFJ108

MMBFJ108

Solo per riferimento

Numero parte MMBFJ108
PNEDA Part # MMBFJ108
Descrizione JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $0,2932
500 ---------- $0,2795
1.000 ---------- $0,2658
2.500 ---------- $0,2520
5.000 ---------- $0,2406
10.000 ---------- $0,2291
Disponibile 1
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBFJ108 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBFJ108
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
MMBFJ108, MMBFJ108 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.096,01 KB)
PDFJ109-D26Z Datasheet Copertura
J109-D26Z Datasheet Pagina 2 J109-D26Z Datasheet Pagina 3 J109-D26Z Datasheet Pagina 4 J109-D26Z Datasheet Pagina 5 J109-D26Z Datasheet Pagina 6 J109-D26Z Datasheet Pagina 7 J109-D26Z Datasheet Pagina 8

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MMBFJ108 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)80mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id3V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)8 Ohms
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT-3

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Produttore

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-

Tipo FET

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

200mV @ 100nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

SMV

2N5457_D27Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

500mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSK596BU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

750mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

180mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

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