MMBF4393
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| Numero parte | MMBF4393 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MMBF4393 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 30V 350MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 143.137 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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MMBF4393 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | MMBF4393 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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MMBF4393 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 20V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 500mV @ 1nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
| Resistenza - RDS (On) | 100 Ohms |
| Potenza - Max | 350mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AA (TO-18) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 15V (VGS) Resistenza - RDS (On) 100 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 0V Resistenza - RDS (On) 3 Ohms Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AC (TO-52) |
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