MMBD7000-G3-18
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| Numero parte | MMBD7000-G3-18 |
| PNEDA Part # | MMBD7000-G3-18 |
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.688 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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MMBD7000-G3-18 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MMBD7000-G3-18 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
MMBD7000-G3-18, MMBD7000-G3-18 Datasheet
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MMBD7000-G3-18 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 7.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 7.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 600V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 580mV @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 3mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 250A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Anode Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 500A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 250A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 20V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Twin Tower Pacchetto dispositivo fornitore Twin Tower |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 22ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
